MOS管是电子电路中常用的功率半导体器件，输入阻抗高、噪声低、热稳定性好，被公认为理想的开关操作，那么什么是MOS晶体管？顺便一起了解一下MOS晶体管工作原理和VI特性。

什么是MOS晶体管？

MOS管是一种电压驱动型的器件，多被用作电子开关，用在控制控制回路中控制负载的通断，也可以当作可控整流来实现交流变直流，还具有防反接开关和电平转换的作用。MOS晶体管芯片充当晶体管及其导线的可靠电流和电容器。

反转，饱和和耗尽区域中的MOS结构

在下图中，我们可以看到一些常用的MOS晶体管的常规示意图。

MOS晶体管的常规示意图

我们通常使用不同的端子符号，即当需要显示主体以及基板或井连接时的图形。

MOS晶体管的工作原理

作为多数载流子器件，MOS 晶体管在其源极和漏极之间承载电流。 该晶体管通过施加到相应 MOS 栅极的常规电压进行调节。 在 n-MOS 晶体管中，电子充当多数载流子，而在 p-MOS 类型中，空穴充当多数载流子。 使用隔离 MOS 结构检查 MOS 晶体管，包括栅极和主体，以了解其特性或行为。

这对于携带电流进行充电非常有用。 这是公认的大门。 刚开始制造的晶体管使用金属栅极。 随着时间的增长，晶体管的栅极被改变，多晶硅正在被使用。 MOS的中间中间层由通常被称为栅极氧化物的氧化硅绝缘薄膜制成。 较低层的层掺杂有硅树脂。

如果我们应用一个 负电压 在栅极中，栅极上产生负电荷。 在栅极之外，随着迁移率载流子带正能量，空穴被吸引到该区域。 这称为累积模式。

MOS晶体管的VI特性

MOS晶体管的VI特性具有三个工作区域：

1、XNUMXD截止或低于阈值的区域。

2、线性区域。

3、饱和区域。

n-MOS晶体管中的沟道长度较长，并且源极至漏极之间的电场较低。 通常将渠道标识为“长渠道”，同时以数字表示。

长通道模型表示流过截止晶体管的电流。 它非常低或为0。门极吸引载流子在其OFF状态下建立通道（Vgs> Vt）。 在源极至漏极区域，电子保持均匀速度流动。

负责人 电容器 板由 – Q = CV 给出。

因此，通道Q中的渠道：Q渠道 = C.g(Vgc - V.t)

上图显示了 IV 晶体管的特性

在特定曲线图中，对于低于V的栅极电压，流过的电流为“ 0”t。 当栅极电压随V线性增加时，电流增加ds 小Vds。 作为Vds 接近饱和点V卫星 V =GT，电流下降，最终证明是独立的。

pMOS晶体管的行为与n-MOS晶体管相反，因此此处所有电压和电流均为负值。此处电流从源极流向漏极，硅中空穴的流动性通常低于电子的流动性。

 因此，与相同尺寸和特征的n-MOS晶体管相比，p-MOS晶体管产生的电流更少。 在这里μn 和μp =分别表示n-MOS和p-MOS晶体管中电子和空穴的迁移率。 迁移率μn /微p 位于2-3之间。 p-MOS晶体管具有与nMOS相同的几何形状。